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【2h】

The Impact of AlxGa1−xN Back Barrier in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Six-Inch MCZ Si Substrate

机译：ALXGA1-XN背屏对六英寸MCZ SI衬底上的AlGaN1-XN后屏对六英寸MCZ Si衬底的影响

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H.Y. Wang; H.C. Chiu; W.C. Hsu; C.M. Liu; C.Y. Chuang; J.Z. Liu; Y.L. Huang;
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年度 2020
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