机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅱ。梯度AlGaN缓冲层
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅰ。 AIN缓冲层
机译:通过金属有机化学气相沉积法将InAlGaN合金作为顺应性中间层生长的无裂纹GaN / Si(111)外延层
机译:通过金属化学气相沉积在外延横向过度生长模板上生长的GaN层中的深部中心
机译:基于通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上生长的外延锗碳层的金属氧化物半导体器件。
机译:金属有机化学气相沉积外延生长的锗纳米柱太阳能电池
机译:金属有机化学气相沉积法在氮化Si(111)衬底上生长的GaN外延层的应变分析
机译:嵌入In0.49(al(x)Ga(1-x))0.51p金属有机化学气相沉积Inp自组装量子点的性质。