首页> 外文OA文献 >606-nm InGaN Amber Micro-Light-Emitting Diodes With an On-Wafer External Quantum Efficiency of 0.56

【2h】

606-nm InGaN Amber Micro-Light-Emitting Diodes With an On-Wafer External Quantum Efficiency of 0.56

机译：606-nm IngaN琥珀色发光二极管，晶圆外量子效率为0.56％

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Zhe Zhuang; Daisuke Iida; Martin Velazquez-Rizo; Kazuhiro Ohkawa;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2021
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Size-independent peak external quantum efficiency (＞2%) of InGaN red micro-light-emitting diodes with an emission wavelength over 600 nm [J] . Panpan Li, Hongjian Li, Haojun Zhang, Applied Physics Letters . 2021,第8期

机译：InGaN红色微发光二极管的尺寸无关峰外量子效率（> 2％），具有超过600nm的发射波长
2. Demonstration of ultra-small (＜10 μm) 632 nm red InGaN micro-LEDs with useful on-wafer external quantum efficiency (＞0.2%) for mini-displays [J] . Pasayat Shubhra S., Gupta Chirag, Wong Matthew S., Applied physics express . 2021,第1期

机译：超小（<10μm）632nm红色IngaN微LED的示范，具有用于微型显示器的有用的晶圆外部量子效率（> 0.2％）
3. Enhanced external quantum efficiency of Ill-nitride micro-light-emitting diodes using vertical and transparent package [J] . Wong Matthew S., Oh Sang Ho, Back Joonho, Japanese journal of applied physics . 2021,第2期

机译：使用垂直和透明包装增强了氮化物微发光二极管的外部量子效率
4. Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes [C] . H. Aizawa, K. Soejima, A. Hori, International Symposium on Compound Semiconductors . 2006

机译：外部和内部场效应对IngaN量子阱二极管辐射复合效率的影响
5. High-Efficiency Violet and Blue InGaN Microcavity Light-Emitting Diodes [D] . Back, Joonho. 2021

机译：高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
6. Alternative Strategy to Reduce Surface Recombination for InGaN/GaN Micro-light-Emitting Diodes—Thinning the Quantum Barriers to Manage the Current Spreading [O] . Le Chang, Yen-Wei Yeh, Sheng Hang, 2020

机译：减少InGaN / GaN微发光二极管疏透缩小量子屏障的替代策略以管理电流展开
7. Regularities of Change of External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green Light Emitting Diodes in Accelerated Testing Process [O] . V.A. Sergeev, I.V. Frolov, A.A. Shirokov, 2017

机译：加速检测过程中Ingan / GaN绿光发光二极管外部量子效率变化的规律
8. Enhancement of Radiative Efficiency with Staggered InGaN Quantum Well Light Emitting Diodes. [R] . Tansu, N. 2013

机译：交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。

606-nm InGaN Amber Micro-Light-Emitting Diodes With an On-Wafer External Quantum Efficiency of 0.56

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅