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机译:辐射对碳化硅缺陷旋转相干性的影响
C. Kasper; D. Klenkert; Z. Shang; D. Simin; A. Gottscholl; A. Sperlich; H. Kraus; C. Schneider; S. Zhou; M. Trupke; W. Kada; T. Ohshima; V. Dyakonov; G. V. Astakhov;
机译:辐照下碳化硅模拟的第一原理缺陷能学:硅双间隙的动力学机理
机译:快速电子和质子辐照产生缺陷的异同:中度掺杂的n型硅和碳化硅
机译:快速电子和质子辐照产生缺陷的异同:中等掺杂的硅和碳化硅
机译:电子和质子辐射下碳化硅缺陷形成的比较分析
机译:碳化硅驱动旋转的相干性与耦合
机译:离子辐照碳化硅中点缺陷簇的原子构型
机译:氢同位素离子辐照对化学气相沉积碳化硅辐射诱导缺陷形成机理的澄清
机译:1100℃下1 dpa-siC辐照碳化硅的缺陷结构与演变
机译:碳化硅大块单晶基质的缺陷检查方法,使用该方法的碳化硅大块单晶基质的缺陷检查系统以及碳化硅大块单晶基质的缺陷信息
机译:乳化电纺丝法制造碳化硅纳米纤维的方法及由能够标准化纳米尺寸的碳化硅纳米纤维的直径的碳化硅纳米纤维
机译:碳化硅纳米纤维和乳液纺制碳化硅纳米纤维的方法
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