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Erratum: ‘‘Valence energy‐band structure for strained group IV semiconductors’’ J. Appl. Phys. 73, 1205 (1993)

机译：错误：“紧张族IV半导体”的价能带结构J.苹果。物理。 73,1205（1993）

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T. Manku; A. Nathan;
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年度 1993
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1. Erratum: 'Comment on 'Band gap bowing and electron localization of Ga_xIn_(1-x)N' [J. Appl. Phys. 100, 093717 (2006)]'[J. Appl. Phys. 103, 096101 (2008)] [J] . D. Bagayoko L. Franklin G. L. Zhao H. Jin Journal of Applied Physics . 2008,第3期

机译：勘误表：“关于Ga_xIn_（1-x）N的带隙弯曲和电子定位的评论” [J.应用物理100，093717（2006）]'[J。应用物理103，096101（2008）]
2. Erratum: “Giant enhancement of n-type carrier mobility in highly strained germanium nanostructures” [J. Appl. Phys. 109, 113703 (2011)] [J] . Murphy-Armando F., Fahy S. Journal of Applied Physics . 2012,第6期

机译：勘误表：“高应变锗纳米结构中n型载流子迁移的巨幅增强” [J.应用物理109，113703（2011）]
3. Erratum: 'Band gap in epitaxial NaCl-structure CrN(001) layers' [J. Appl. Phys. 91, 5882 (2002)] [J] . D. Gall Journal of Applied Physics . 2008,第6期

机译：勘误：“外延NaCl结构CrN（001）层中的带隙” [J.应用物理91，5882（2002）]
4. Energy-Band Structure of Strained Indirect Gap Semiconductor: A k. p Method [C] . N. Cavassilas, F. Aniel, G. Fishman International Conference on Computational Nanoscience and Nanotechnology(ICCN 2002); 20020421-25; San Juan,PR(US) . 2002

机译：应变间接间隙半导体的能带结构：A k。 p法
5. Band structure calculations of strained semiconductors using empirical pseudopotential theory. [D] . Kim, Jiseok. 2011

机译：利用经验伪势能理论计算应变半导体的能带结构。
6. Erratum: Magnetic nanoparticles with high specific absorption rate of electromagnetic energy at low field strength for hyperthermia therapy J. Appl. Phys. 117 094302 (2015) [O] . Fridon Shubitidze, Katsiaryna Kekalo, Robert Stigliano, -1

机译：勘误表：在低场强度下具有较高比能的电磁能的磁性纳米粒子用于热疗 J.应用物理117094302（2015）
7. Erratum: ‘‘Analytical solution for minority‐carrier transport in heavily doped semiconductors with position‐dependent band structures’’ J. Appl. Phys. 68, 1710 (1990) [O] . S. Noor Mohammad 1991

机译：错误：'具有位置依赖频带结构的重掺杂半导体中少数载波运输的分析解决方案J。苹果。物理。 68,1710（1990）

Erratum: ‘‘Valence energy‐band structure for strained group IV semiconductors’’ J. Appl. Phys. 73, 1205 (1993)

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