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机译:GaN中结合激子排放的温度依赖
D. G. Chtchekine; G. D. Gilliland; Z. C. Feng; S. J. Chua; D. J. Wolford; S. E. Ralph; M. J. Schurman; I. Ferguson;
机译:GaN自由激子发射中LO声子边带的温度依赖性
机译:自由激子激的湮灭如何让绑定的激子排放在低流量脉冲激发下在低温温度下占据2D-Perovskites的光致发光
机译:与多晶CulnS_2的等电子缺陷结合的激子的非常深发射的温度依赖性
机译:GaN中约束激子发射的温度依赖性
机译:用于机动车排放量的温度和特定湿度依赖性的分析
机译:界面涨落GaN量子点的单光子发射的温度依赖性
机译:LO自由激子发射中LO声子边带的温度依赖性
机译:利用泰勒级数指数展开法测定GE在自由激子复合中禁带辉度的温度依赖性和光强强度函数的方法,温度高达400 K
机译:确定发射系数(版本)的温度相关性的方法
机译:具有受控的发射波长温度依赖性的光电装置及其制造方法
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