机译:单个P〜+离子注入工艺制备1.2 kV Ni / 4H-SiC结势垒控制的肖特基二极管
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:600V / 20-A 4H-SiC肖特基势垒二极管的制造
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:碳化硅中强大功率肖特基势垒二极管的开发。
机译:Ni / 4H-SiC肖特基二极管辐射探测器的制造与表征其敏感面积高达4 cm2
机译:制造600V / 20a 4H-siC肖特基势垒二极管