机译:基于第一原理计算的Alxga1-XN / GaN晶体管的电子传输性能和Boltzmann-areation Monte Carlo模拟
机译:Al含量对GaN / AlxGa1-xN / GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:蒙特卡洛模拟研究栅极凹陷结构对基于InP的高电子迁移率晶体管中电子输运的影响
机译:ALXGA1 XN后屏对六英寸MCZ Si衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的影响
机译:体GaN和AlGaN-GaN异质结构中电子传输的蒙特卡洛模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlxGa1-xN / GaN多量子阱的子带间吸收特性
机译:散装立方Inxga1-XN中温度和铟浓度的影响:通过蒙特卡罗模拟方法计算稳态电子传输