首页> 外文OA文献 >Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
【2h】

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

机译:具有肖特基势垒Al-pCdTe-Mo的二极管中间层的研究

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.ud Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γud модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурнымud измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.
机译:在这项工作中,我们研究了肖特基势垒Al-pCdTe的结构中的中间层。 Ud X射线相分析和光电研究方法表明,Al和pCdTe之间的中间层的成分非常复杂。它包含Al 2 O 3的所有三种α-β-γ ud修饰和一个复合材料薄层,其成分为(С60)1-x-(СdTe)x,且x≥0.5。根据电容和X射线衍射测量,中间层的总厚度不超过〜200。结果表明,在Al-pCdTe结构中,基材主要由立方改性的CdTe均匀层组成。

著录项

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号