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Recent Progress in Theoretical Study of Formation of Semiconductor Surfaces and Interfaces Based on Microscopic Processes. Theoretical Investigation of Ge Growth on H-terminated Si Surface.

机译：基于微观过程的半导体表面和界面形成理论研究的最新进展。 H封端Si表面Ge Ge生长的理论研究。

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Jun NARA; Takahisa OHNO;
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年度 2002
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