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机译:新型速度和功耗优化的SRAM单元设计,具有来自单节点和双节点的自恢复性的增强
Aibin Yan; Yan Chen; Yuanjie Hu; Jun Zhou; Tianming Ni; Jie Cui; Patrick Girard; Xiaoqing Wen;
机译:基于SRAM的FPGA设计对单位和多小区扰乱的分析可靠性估计
机译:双节点心烦容错RHBD15T SRAM单元设计为空间应用
机译:290mV,7nm超低电压单端口SRAM编译器设计,使用12T写入争用和读取翻转自由位单元
机译:防止双节点upsets的六十分耦合SRAM单元
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于提高SRAM单元,SRAM单元,SRAM阵列和写入电路性能的设计结构
机译:改善SRAM单元,SRAM单元,SRAM阵列和写电路性能的设计结构
机译:重离子冷硬浮动浮体SRAM单元
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