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【2h】

High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs With Improved On-Current

机译：高性能横向纳米线IngaAs MOSFET，具有改进的电流

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Cezar B. Zota; Lars-Erik Wernersson; Erik Lind;
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年度 2016
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1. High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs With Improved On-Current [J] . Cezar B. Zota, Lars-Erik Wernersson, Erik Lind IEEE Electron Device Letters . 2016,第10期

机译：具有改善的导通电流的高性能横向纳米线InGaAs MOSFET
2. Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs [J] . Zota C.B., Roll G., Wernersson L., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2014,第12期

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3. High-Performance pH Sensors Using Ion-Sensitive InGaAs-Channel MOSFETs at Sub-100 nm Technology Node [J] . Ghosh Suprovat, Tewari Suchismita, Biswas Abhijit, Journal of Electronic Materials . 2021,第3期

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