Compact modeling of gate-all-around silicon nanowire MOSFETs

机译：门 - 全面硅纳米线MOSFET的紧凑型型号

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Shihuan Lin;
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1. Corrections to “Predictive 3-D Modeling of Parasitic Gate Capacitance in Gate-all-Around Cylindrical Silicon Nanowire MOSFETs” [J] . Zou J., Xu Q., Luo J., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第3期

机译：对“全方位栅圆柱形硅纳米线MOSFET中的寄生栅电容的预测3-D建模”的更正
2. Predictive 3-D Modeling of Parasitic Gate Capacitance in Gate-all-Around Cylindrical Silicon Nanowire MOSFETs [J] . Zou J., Xu Q., Lou J., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第10期

机译：全方位栅极圆柱形硅纳米线MOSFET中寄生栅极电容的预测3-D建模
3. Negative-Bias Temperature Instability in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs: Characteristic Modeling and the Impact on Circuit Aging [J] . Liu C., Yu T., Wang R., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2010,第12期

机译：全能栅极硅纳米线MOSFET的负偏压温度不稳定性：特性建模及其对电路老化的影响
4. 3-D modeling of fringing gate capacitance in gate-all-around cylindrical silicon nanowire MOSFETs [C] . An TaeYoon, Kim SoYoung International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices . 2013

机译：全方位栅圆柱形硅纳米线MOSFET边缘栅电容的3-D建模
5. Process-based compact modeling and analysis of silicon-on-insulator CMOS devices and circuits, including double-gate MOSFETs. [D] . Chiang, Meng-Hsueh. 2001

机译：对绝缘体上硅CMOS器件和电路（包括双栅MOSFET）的基于过程的紧凑建模和分析。
6. Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs [O] . Jie Gu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, 2021

机译：P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
7. Work-Function Fluctuation of Gate-All-Around Silicon Nanowire n-MOSFETs: A Unified Comparison Between Cuboid and Voronoi Methods [O] . Wen-Li Sung, Ya-Shu Yang, Yiming Li 2021

机译：门 - 全面硅纳米线N-MOSFET的工作功能波动：长方体和voronoi方法的统一比较

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