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【2h】

Effect of stress migration on electromigration for nano scale advanced interconnects

机译：应力迁移对纳米规模高级互连电迁移的影响

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Heryanto Anson;
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1. Stress migration risk on electromigration reliability in advanced narrow line copper interconnects [J] . A. Heryanto, K. L. Pey, Y. K. Lim, Journal of Applied Physics . 2011,第8期

机译：先进的窄线铜互连中应力迁移风险对电迁移可靠性的影响
2. Electromigration and Stress Voiding of Cu/low-k Semiconductor Interconnects - 65 nm Interconnect Technology and Beyond [J] . Xiaoling He Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . 2007,第2期

机译：Cu / low-k半导体互连的电迁移和应力消除-65 nm互连技术及其他
3. Electromigration and Stress Voiding of Cu/low-k Semiconductor Interconnects - 65 nm Interconnect Technology and Beyond [J] . Xiaoling He Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . 2007,第2期

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4. Demonstration of low-frequency noise measurements for studying electromigration mechanisms in advanced nano-scaled interconnects [C] . Sofie Beyne, Kristof Croes, Ingrid De Wolf, International Conference on Noise and Fluctuations . 2017

机译：演示用于研究高级纳米级互连中电迁移机制的低频噪声测量
5. Modeling of electromigration and stress migration in copper interconnects prepared by chemical-mechanical polishing. [D] . Renz, Thomas E. 1997

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6. Microwave evaluation of electromigration susceptibility in advanced interconnects [O] . Christopher E. Sunday, Dmitry Veksler, Kin C. Cheung, -1

机译：微波评估高级互连中的电迁移敏感性
7. Plastic deformation in Al (Cu) interconnects stressed by electromigration and studied by synchrotron polychromatic x-ray microdiffraction [O] . Kai Chen, N. Tamura, B. C. Valek, 2008

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