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Production of broadband modal gain spectra in asymmetric multiple quantum-well Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6heterostructures

机译:在不对称多量子阱Ga0.47in0.53as / ga0.18in0.82as0.4p0.6中的宽带模态增益光谱的生产在不对称多量子阱Ga0.47。

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摘要

The modal gain spectra of asymmetric multiplequantum-well Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6 hetero-structures are theoretically analysed within the frameworkof the four-band kp method. An efficient procedure forobtaining the broadband and almost êat gain spectrum isproposed. The designs of semiconductor radiation sourceswith different sets of nonuniformly excited quantum wellsproducing broadband amplification in spectral ranges from1.28 to 1.525 mu m and from 1.36 to 1.6 mu m are calculated.
机译:在四带KP方法的框架内理论上分析了非对称QuantQuantum-pont Ga0.47in0.53as / Ga0.18In0.82As0.4p0.6的模态增益光谱。一种有效的程序,使宽带和几乎êat增益谱缺乏。将半导体辐射源的设计与频谱范围的宽带放大的不同型非均匀激发量子孔发出的宽带放大,计算出1.36至1.6μm。

著录项

  • 作者

    D V Ushakov; V K Kononenko;

  • 作者单位
  • 年度 2008
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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