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Temperature impact on reliability of power RF devices under S-band pulsed-RF test

机译：S带脉冲RF试验下电力RF器件可靠性的温度影响

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M. A. Belaid; M. Tlig;
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年度 2020
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1. RF performance reliability of power N-LDMOS under pulsed-RF aging life test in radar application S-band [J] . Belaid Mohamed Ali, Almusallam Ahmed, Masmoudi Mohamed Circuits, Devices & Systems, IET . 2020,第6期

机译：雷达施用S频段脉冲 - 射频老化寿命试验下功率N-LDMOS的RF性能可靠性
2. S-band pulsed-RF operating life test on AlGaN/GaN HEMT devices for radar application [J] . Moultif N., Latry O., Ndiaye M., Microelectronics & Reliability . 2019,第Sepa期

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3. Temperature impact on reliability of power RF devices under S‑band pulsed‑RF test [J] . M. A. Belaid, M. Tlig SN Applied Sciences . 2020,第5期

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5. Constant Interface Temperature Reliability Assessment Method: An Alternative Method for Testing Thermal Interface Material in Products. [D] . Amoah-Kusi, Christian. 2015

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6. Validity and Reliability of a Commercially-Available Velocity and Power Testing Device [O] . Andrew T. Askow, Jason D. Stone, Daniel J. Arndts, 2018

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