机译:同位素富集的中子trans杂的Ge-70:Ga在金属-绝缘体转变附近的电学性质
机译:氮氧化锗的电学性质及其与电子回旋共振等离子体氧化和氮化制备的锗的界面
机译:加工条件和沉积后氧化对氢化无定形和纳米结晶锗膜的光学性能的影响
机译:不同中子能谱中子掺杂锗的电学性质和辐照诱发缺陷的研究
机译:窄间隙锗锡合金的光学和电性能,具有高锡含量的中间和远红外应用
机译:HfxTi1-xO2高介电常数栅绝缘子沉积在锗衬底上的电学性质和界面研究
机译:同位素富集的电学性质 中子 - 嬗变掺杂^ {70} Ge:Ga靠近金属 - 绝缘体转变
机译:中子嬗变掺杂锗的电学特性