Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния

摘要

Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.