机译:通过低温溶液涂覆具有超过10?cm2 / Vs迁移率的有机薄膜晶体管
机译:电子迁移率超过10 cm(2)V-1 s(-1),并在溶液处理的n沟道有机薄膜晶体管中实现带状电荷传输。
机译:基于固溶处理的有机-无机杂化电介质的低温固溶氧化物薄膜晶体管
机译:在未掺杂的和掺杂的单层石墨烯基晶体管中,高电场效应迁移率为10,000cm 2 sup> / v-s和5,000cm 2 sup> / V-s
机译:用于高性能薄膜晶体管的非晶态金属氧化物半导体的低温溶液处理。
机译:具有稳健的Zn-O薄膜晶体管双层异质结构设计和低温制造工艺使用真空和溶液沉积层
机译:基于p沟道有机和n沟道金属氧化物晶体管的混合互补电路,载流子迁移率高达10 cm2 / Vs