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机译:1.2 GeV电子在厚硅单晶中的γ辐射角分布
Bochek G.L.; Fomin S.P.; Kulibaba V.I.; Lapko V.P.; Maslov N.I.; Shramenko B.I.; Shul’ga N.F.;
机译:2.0 GeV电子在厚靶上产生的光中子产量的角分布测量
机译:蒙特卡罗模拟低电子束能量下硅中二次电子的发射位置,角度和能量分布
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机译:Compact 1.2 GEV Booster Synchrotron的电子束诊断
机译:铀238与400 GeV质子相互作用形成的碎片的角分布和能谱。
机译:激光电子散射产生多GeV电子正电子束
机译:薄硅单晶散射的1 GeV电子的角分布特征
机译:使在硅晶片表面上形成的具有预定膜厚的层的膜厚分布均匀的处理方法和使硅晶片的厚度分布均匀的处理方法
机译:具有在硅晶片表面上形成的预定膜厚度的层的膜厚度分布的均匀化处理方法和用于使硅晶片的厚度分布均匀化的处理方法
机译:单晶硅的生产方式和单晶硅片的生产方式,以使单晶硅生产成为晶体,单晶硅锭和单晶
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