Разработанный авторами подход к кинетике радиационных явлений, учитывающий многостороннее влияние структурных дефектов на электронные процессы, использован для анализа литературных данных о радиационных повреждениях сцинтилляционных кристаллов. Радиационные изменения классифицированы по характеру дозовой зависимости и типу электронных процессов. Рекомендуемые методы повышения радиационной стойкости зависят от интервала доз, в котором требуется стабилизировать сцинтилляционные характеристики кристалла.
展开▼