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【2h】

Trapping phenomena and degradation mechanisms in GaN-based power HEMTs

机译：诱捕了GaN型功率HEMT的现象和降解机制

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Matteo Meneghini; Alaleh Tajalli; Peter Moens; Abhishek Banerjee; Enrico Zanoni; Gaudenzio Meneghesso;
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年度 2018
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1. Trapping phenomena and degradation mechanisms in GaN-based power HEMTs [J] . Meneghini Matteo, Tajalli Alaleh, Moens Peter, Materials science in semiconductor processing . 2018,第期

机译：诱捕GaN型电力HEMTS中的现象和降解机制
2. Trapping mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs grown on silicon substrate [J] . Davide Bisi, Matteo Meneghini, Marleen Van Hove, Physica status solidi . 2015,第5期

机译：硅衬底上生长的GaN基MIS-HEMT中的陷阱机制
3. Negative bias-induced threshold voltage instability andzener/interface trapping mechanism in GaN-based MIS-HEMTs [J] . Qing Zhu, Xiao-Hua Ma, Yi-Lin Chen, 中国物理：英文版 . 2020,第004期

机译：GaN基MIS-HEMT中负偏压引起的阈值电压不稳定性和齐纳/界面陷阱机制
4. Mechanism of power density degradation due to trapping effects in AlGaN/GaN HEMTs [C] . De Meyer, S., Charbonniaud, . 2003

机译：AlGaN / GaN HEMT中由于俘获效应导致功率密度降低的机理
5. Physical Defects and Degradation Mechanisms of GaN-based Electronic Devices Explored by Transmission Electron Microscopy [D] . Lang, Andrew Charles. 2018

机译：透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
6. Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices [O] . Huolin Huang, Feiyu Li, Zhonghao Sun, 2018

机译：宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
7. Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level [O] . Rossetto, I., Meneghini, M., Canato, E., 2017

机译：具有p-GaN栅极的基于GaN的功率HEMT的场驱动和电流驱动退化：取决于Mg掺杂水平

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