2.5～6 GHz 20-W Wideband GaN HEMT Internally Matched Power Amplifier

机译：2.5〜6 GHz 20-W宽带GAN HEMT内部匹配功率放大器

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Min-Pyo Lee; Seil Kim; Sung-June Hong; Lim Jun-Su; Dong-Wook Kim;
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年度 2019
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1. A 5–8 GHz wideband 100 W internally matched GaN power amplifier [J] . Bochao Zhao, Honghe Zhang, Jiaxin Zheng, IEICE Electronics Express . 2015,第6期

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2. A Miniaturized 2.5 GHz 8 W GaN HEMT Power Amplifier Module Using Selectively Anodized Aluminum Oxide Substrate [J] . Hae-Chang JEONG, Kyung-Whan YEOM IEICE Transactions on Electronics . 2012,第10期

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