机译:通过旋涂沉积可控制厚度的超薄SnO2:Sb膜
机译:在18 nm至142 nm范围内沉积超薄聚对二甲苯C膜:控制层厚度并评估沉积膜的紧密度
机译:控制选择性沉积在有图案的自组装单层膜上的SnO2超薄膜的膜厚
机译:用原子层沉积产生超薄α{亚} 2O {Sub} 3薄膜的电学特性
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:掺Sb的SnO2超薄膜中厚度诱导的金属-绝缘体跃迁:量子约束的作用
机译:厚度对sb掺杂snO2(aTO)薄膜电学和光学性质的影响