机译:SiC上生长的GaN中缺陷密度和应力的深度依赖性
机译:GaN衬底和模板上生长的AlGaN多量子阱中载流子动力学的缺陷密度依赖性
机译:在SiC和GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱中V缺陷和螺纹位错的特定位置比较
机译:MOCVD在半绝缘SIC基板上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的缺陷和表面性能研究
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:4H-SiC衬底取向不良对金属有机化学气相沉积法生长的GaN中开口体积缺陷的影响