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【2h】

Measuring dopant concentrations in compensated p-type crystalline silicon via iron-acceptor pairing

机译：通过铁占配对测量补偿P型晶体硅中的掺杂剂浓度

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D. Macdonald; A. Cuevas; L. J. Geerligs;
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年度 2008
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1. Measuring dopant concentrations in compensated p-type crystalline silicon via iron-acceptor pairing [J] . D. Macdonald, A. Cuevas, L. J. Geerligs Applied Physicsletters . 2008,第20期

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2. Measuring dopant concentrations in p-type silicon using iron-acceptor pairing monitored by band-to-band photoluminescence [J] . Lim S.Y., MacDonald D. Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion . 2011,第8期

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3. Reassessment of the recombination parameters of chromium in n- and p-type crystalline silicon and chromium-boron pairs in p-type crystalline silicon [J] . Sun Chang, Rougieux Fiacre E., Macdonald Daniel Journal of Applied Physics . 2014,第21期

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