机译:高温生长的第四季AlInGaN外延层和用于紫外发射的多个量子阱
机译:出版者注:“ InGaN-GaN多量子阱发光二极管中带边激发发射的量子位移” [Appl。物理来吧70,2978(1997)]
机译:InGaN / AlGaN多量子阱中界面波动和发射机理的表征
机译:第四纪AlInGaN外延层和多个量子阱中的紫外线发射机理
机译:多发射金属配合物的激发态和发射机理的理论研究
机译:具有单层集成基于InGaN的量子阱的LED的类似于花朵的内部发射分布其发射窄的蓝色绿色和红色光谱
机译:出版商注意:“带边缘刺激发射的”带边缘多量子孔发光二极管的量子偏移“Appl。物理。吧。 70,2978(1997)