Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання

摘要

Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄ud (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величинаud і характер розподілу яких значно впливають на електричні та інші характеристики приладів.ud Тому при виготовленні інтегральних схем важливим є знання величини і характеру розподілуud механічних напружень у залежності від топологічних параметрів зразка. Результатами моделювання оцінена можливість існування різкої бездефектної границі Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для шарівud розмірами порядку 2 нм. Розрахована карта механічних напружень в гетеропереході з бокуud шару Si₃N₄ (0001), на основі якої визначено, що напруження мають розтягуючий характер і їхud максимум приходиться на границю розділу.