首页> 外文OA文献 >Dopants redistribution during titanium‐disilicide formation by rapid thermal processing

【2h】

Dopants redistribution during titanium‐disilicide formation by rapid thermal processing

机译：掺杂剂通过快速热处理在二硅氧化物形成期间再分配

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
A. A. Pasa; J. P. de Souza; I. J. R. Baumvol; F. L. Freire;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1987
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Dopant redistribution during titanium silicide formation [J] . Journal of Applied Physics . 1986,第8期

机译：硅化钛形成过程中的掺杂物再分布
2. Activating titanium dopants in hematite photoanode by rapid thermal annealing for enhancing photoelectrochemical water oxidation [J] . Gao Shuang, Wang Dan, Wang Yinglin, Electrochimica Acta . 2019,第期

机译：快速热退火激活赤铁矿光电镀锡剂，以提高光电化学水氧化
3. Role of dopant incorporation in low-temperature Si epitaxial growth by rapid thermal processing chemical vapor deposition [J] . Hsieh T.Y., Jung K.H. IEEE Transactions on Electron Devices . 1992,第1期

机译：通过快速热处理化学气相沉积法，掺入掺杂剂在低温Si外延生长中的作用
4. Titanium Disilicide Formation for Detection of Temperature Drift and Oxygen Leak in Rapid Thermal Processing Tool [C] . Neelakandan Sivanantham, Chai Chun Hoo, Lim Wei Hong, IEEE Electronics Packaging Technology Conference . 2015

机译：用于检测温度漂移和快速热处理工具中氧气泄漏的钛二硅化物形成
5. TiSi(2) formation by rapid thermal processing: Effects of processing on material properties. [D] . Amorsolo, Alberto Villar, Jr. 1996

机译：通过快速热处理形成TiSi（2）：处理对材料性能的影响。
6. Effect of the Niobium-Doped Titanium Oxide Thickness and Thermal Oxide Layer for Silicon Quantum Dot Solar Cells as a Dopant-Blocking Layer [O] . Ryushiro Akaishi, Kohei Kitazawa, Kazuhiro Gotoh, 2020

机译：掺杂铌的氧化钛厚度和热氧化层对硅量子点太阳能电池作为掺杂阻挡层的影响
7. The Reactivity of the Donor-Acceptor Complex of Titanium Tetrachloride and N-Methylformanilide in Solvothermal Processes of Titanium Dioxide Formation [O] . Nemeryuk A. M., Lylina M. M., Pinchuk Yuriy Anatolyevich 2017

机译：四氯化钛和N-甲基芳烃的供体 - 受体复合物在二氧化钛形成中的溶剂 - 甲基芳烃中的反应性
8. Effects of Dopant and Impurity Redistributions on WSi(2) Formation by Rapid Thermal Processing [R] . Siegal, M. P., Santiago, J. J. 1989

机译：掺杂和杂质重分布对快速热处理Wsi（2）形成的影响

Dopants redistribution during titanium‐disilicide formation by rapid thermal processing

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅