机译:具有原子层沉积的氮化硅/ SiO_2堆叠栅电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置温度不稳定性
机译:原子层沉积氮化硅/ SiO {sub} 2堆叠栅电介质,用于增强可靠性的未来高速DRAM
机译:具有原子层沉积的氮化硅/ SiO / sub 2 /堆叠栅电介质的p-MOSFET中的载流子迁移率
机译:具有原子层沉积氮化硅/ SiO2叠层栅电介质的MOSFET的偏置温度不稳定性
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究