Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

摘要

Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников.