机译:正栅偏压下GaN垂直Fin FET中电荷俘获机制的表征
机译:具有原位Si_3N_4 / Al_2O_3双层栅极电介质的AlGaN / GaN MIS-HEMT上正栅极偏置后的缓慢去陷阱现象分析
机译:在静态正栅极偏置应力下的单极脉冲漏极偏置下,非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中电荷陷阱的增加和电子俘获效应的抑制引起的严重驼峰现象
机译:全凹栅GaN MIS-FET中的正偏置温度不稳定性评估
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:在In0.7ga0.3as的不稳定性,用单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2栅极堆叠在正偏置温度(PBT)应力下引起的单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2堆叠