机译:垂直堆叠非易失性存储器件中基于低温原子层沉积生长的氧化锌的新型选择器
机译:用于非易失性存储器和突触设备的CMOS兼容TA_2O_5 Memitistor的丝状和接口切换
机译:以Al_2O_3为阻挡氧化物的原子层沉积HfO_2薄膜的电荷俘获特性,用于高密度非易失性存储器件应用
机译:金属-Pr
机译:用于非易失性电荷存储存储设备的铂纳米粒子和高k电介质的原子层沉积。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:单层富有的2D WS2和MOS2器件中的低功耗非易失性存储器切换