机译:晶格匹配的InAlN / GaN HEMT中栅漏电流退化的表面受体样陷阱模型
机译:Alinn / GaN和Algan / GaN Hemts的电荷基于闸门漏电流的紧凑型号
机译:AlGaN / GaN HEMT中2DEG浓度和栅极泄漏电流的分析模型
机译:陷阱和栅极泄漏电流对微波GaN HEMT大信号建模的影响
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:直流闸门泄漏电流模型占Algan / GaN Hemts诱捕效果的占用
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制