机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:用于超低功耗存储器设计的无升压写入优化的单端健壮7T SRAM单元
机译:具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
机译:具有集成式读写辅助功能的可充电低功耗SRAM,用于可穿戴电子设备,采用7nm FinFET设计
机译:用于高速缓存设计的低功耗SRAM单元和体系结构。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于低功耗的恢复电路减少6T和8T SRAM单元的摆动,改进了读写边距