首页> 外文OA文献 >Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs

【2h】

Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs

机译：（IN）AlGaN复合半导体的生长及其在300-NM波段高强度UV-LED中的应用

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Hideki HIRAYAMA; Yoshinobu AOYAGI;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2002
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Design optimisation of AlGaN/GaN metal insulator semiconductor high electron mobility transistor with high-K/low-K compound gate dielectric layer for millimeter-wave application [J] . Jiangfeng Du, Zehong Hou, Peilin Pan, Micro & nano letters . 2016,第9期

机译：具有毫米波应用的高K /低K复合栅极介电层的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的设计优化
2. Study on the Growth Kinetics of III-V Compound Semiconductor by Liquid Phase Epitaxy for Microelectronic Applications [J] . M. M. Kamal, M. M. Hossain Advances in Microelectronic Engineering . 2014,第1期

机译：液相外延法生长III-V族化合物半导体的微电子应用研究
3. MOVPE growth of AIIIBV-N semiconductor compounds for photovoltaic applications [J] . B. ?ciana, D. Radziewicz, D. Pucicki, Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography . 2012,第3期

机译：用于光伏应用的AIIIBV-N半导体化合物的MOVPE生长
4. Thin Films IV-VI Semiconductors Compounds with Applications in Optoelectronic Devices by HWBE Growth Technique [C] . Sergio T. Renosto, Lívia S. Ribeiro, Joaquim T. de Lima, Latin American Meeting on Optics, Lasers, and Their Applications . 2008

机译：薄膜IV-VI半导体化合物具有通过HWBE生长技术在光电器件中的应用
5. Growth and modeling of III-V compound semiconductor optoelectronic materials with device applications. [D] . Howard, Arnold John. 1990

机译：III-V化合物半导体光电子材料的生长和建模及其器件应用。
6. Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach [O] . Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, 2013

机译：复合半导体的表面稳定性和生长动力学：从头开始的方法
7. The application of gas foil rotation for growth of InP-based Ill-V compound semiconductors in a horizontal LP MOVPE reactor [O] . Schmitz D., Strauch G., Heyen M., 1990

机译：气膜旋转在水平LP MOVPE反应器中生长基于InP的I-V化合物半导体的应用
8. Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of Metastable Compound Semiconductors for Infrared Detector Applications [R] . Wang, W. I. 1988

机译：用于红外探测器应用的亚稳态化合物半导体的分子束外延生长和表征

Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅