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HOT CARRIERS IN REDUCED GEOMETRY SURFACE-CHANNEL CHARGE-COUPLED DEVICES

机译:降低几何表面沟道电荷耦合器件的热载体

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摘要

In a surface-channel C.C.D., electric fields have been computed with the help of a finite-difference method. The normal field, higher than the critical value, can create impact ionization under the gates but not in the gaps. Nevertheless this field is not crucial for the C.C.D. operation as a shift register. The longitudinal field, defined as the sum of two components, is higher than the critical field but at the very beginning of the transfer. All those results have been found again for a theoretical device with 1.5 µm gate length. Nevertheless this heating of the carriers is found to be the major limitation to the maximum transfer frequency.
机译:在表面通道C.C.D中,借助有限差分法计算了电场。正常场,高于临界值,可以在门下产生撞击电离,但不在间隙下。然而,这一领域对C.C.D来说并不重要。操作作为移位寄存器。定义为两个组件的总和的纵向高于临界场,但在转移的开始时。所有这些结果都已发现,对于具有1.5μm的栅极长度的理论装置。然而,发现这种载体的加热被发现是对最大传输频率的主要限制。

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