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III. Compensation Defects in p-type ZnSe Epitaxial Films Grown by MBE

机译：III。 MBE生长的 P -Type ZnSe外延薄膜的补偿缺陷

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作者
Koshi Ando;
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年度 1994
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2. An aberration-corrected STEM study of structural defects in epitaxial GaN thin films grown by ion beam assisted MBE [J] . Poppitz David, Lotnyk Andriy, Gerlach Juergen W., Micron: The international research and review journal for microscopy . 2015,第Null期

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