首页> 外文OA文献 >New approach for an accurate Schottky Barrier Height's extraction by I-V-T measurements

【2h】

New approach for an accurate Schottky Barrier Height's extraction by I-V-T measurements

机译：I-V-T测量的精确肖特基屏障高度提取的新方法

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

International audience

机译：国际观众

著录项

作者
O. Lazar; J.G. Tartarin; B. Lambert; C. Moreau; J.L. Roux; J.L. Muraro;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. The distribution of barrier heights in Au-Si Schottky barrier diodes from I-V-T measurements [J] . Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications . 2010,第2010期

机译：根据I-V-T测量，Au / n-Si肖特基势垒二极管的势垒高度分布
2. The distribution of barrier heights in MIS type Schottky diodes from current-voltage-temperature (I-V-T) measurements [J] . Adem Tataroglu, Semsettin Altindal Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics . 2009,第1a2期

机译：根据电流-电压-温度（I-V-T）测量，MIS型肖特基二极管的势垒高度分布
3. The distribution of the barrier height in Al-TiW-Pd_2Si-Si Schottky diodes from I-V-T measurements [J] . Ilbilge Doekme, Semsettin Altindal, Izzet M Afandiyeva Semiconductor science and technology . 2008,第3期

机译：从I-V-T测量得出Al-TiW-Pd_2Si / n-Si肖特基二极管的势垒高度分布
4. New approach for an accurate Schottky Barrier Height's extraction by I-V-T measurements [C] . Lazar O., Tartarin J.G., Lambert B., IEEE MTT-S International Microwave Symposium . 2015

机译：通过I-V-T测量精确提取肖特基势垒高度的新方法
5. Spatial inhomogeneous barrier heights at graphene/semiconductor Schottky junctions. [D] . Tomer, Dushyant. 2016

机译：石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
6. Monolayer graphene/SiC Schottky barrier diodes with improved barrier height uniformity as a sensing platform for the detection of heavy metals [O] . Ivan Shtepliuk, Jens Eriksson, Volodymyr Khranovskyy, 2016

机译：具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
7. Schottky Barrier Parameters of Pd/Ti Contacts on N-Type InP Revealed from I-V-T And C-V-T Measurements [O] . N. Nanda Kumar Reddy, M. Bhaskar Reddy, D. Subba Reddy, 2011

机译：I-V-T和C-V-T测量显示N型InP上Pd / Ti触点的肖特基势垒参数

New approach for an accurate Schottky Barrier Height's extraction by I-V-T measurements

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅