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Antibody Molecules Discriminate between Crystalline Facets of a Gallium Arsenide Semiconductor

机译：抗体分子区分镓砷化物半导体的晶壳之间

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2. Transient electron transport in the Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors gallium arsenide and gallium nitride [J] . Walid A. Hadi, Reddiprasad Cheekoori, Michael S. Shur, Journal of materials science . 2013,第2期

机译：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的瞬态电子传输砷化镓和氮化镓
3. Bioleaching of gallium from gallium arsenide by Cellulosimicrobiurn funkei and its application to semiconductor/electronic wastes [J] . Maneesuwannarat Sirikan, Vangnai Alisa S., Yamashita Mitsuo, Transactions of The Institution of Chemical Engineers. Process Safety and Environmental Protection, Part B . 2016,第Jana期

机译：纤维素微霉菌从砷化镓中生物浸出镓及其在半导体/电子废物中的应用
4. Different types of single crystalline gallium nitride thin films grown directly on vicinal (001) gallium arsenide substrates [C] . A. Georgakilas, K. Amimer, M. Androulidaki, Conference on microelectronics, microsystems and nanotechnology . 2001

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5. Exchange and crystalline orientation studies of the III-V ferromagnetic semiconductor (Gallium, Manganese) Arsenide. [D] . Wilson, Mark. 2010

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