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机译:P5.4 - 新型动态技术降低了霍尔效应传感器中的偏移电压
V. N. Petoussis; P. D. Dimitropoulos; G. Stamoulis; E. Houstis;
机译:使用双霍尔传感器结构来大大减少外延石墨烯中的电压偏移
机译:具有动态降低的偏移和1 / f噪声的三触点平行场霍尔传感器
机译:采用动态正交偏移消除的单片磁性霍尔传感器
机译:降低霍尔效应传感器失调电压的新型动态技术
机译:研究间接感应技术的使用,以减少半导体霍尔效应板中几何校正因子的影响
机译:通过HALL偏移电压探测InGazno薄膜的传导带边的能量轮廓
机译:利用大型霍尔偏移电压进行转换4H-SiC应变传感器
机译:同时减少霍尔效应和压电电阻器的非对准偏移,从而将霍尔电压与非对角压阻电压分开
机译:霍尔设备的偏移电压校正方法及采用该方法的霍尔传感器
机译:理想的运算放大器布局技术,可减少封装引起的应力对失调电压的影响
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