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【2h】

A 39 GHz broadband high-isolation CMOS mixer using magnetic-coupling CG Gm stage for 5G applications

机译：39 GHz宽带高隔离CMOS混合器，用于5G应用的磁耦合CG GM级

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Zhiqing Liu; Jiayu Dong; Zhilin Chen; Huihua Liu; Chenxi Zhao; Yunqiu Wu; Kai Kang;
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年度 2018
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1. A 39 GHz broadband high-isolation CMOS mixer using magnetic-coupling CG Gm stage for 5G applications [J] . Zhiqing Liu, Jiayu Dong, Zhilin Chen, IEICE Electronics Express . 2018,第18期

机译：39 GHz宽带高隔离CMOS混合器，用于5G应用的磁耦合CG GM级
2. A 24-28 GHz high-stability CMOS power amplifier using common-gate-shorting (CGS) technique with 17.5dBm Psat and 16.3% PAE for 5G millimeter-wave applications [J] . Jiang Chunshen, Zhang Runxi, Shi Chunqi Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2019,第1期

机译：24-28 GHz高稳定性CMOS功率放大器采用公共栅极 - 短路（CGS）技术，具有17.5dBm PSAT和5G毫米波应用的16.3％PAE
3. A 27.5‐43.5 GHz 65‐nm CMOS up‐conversion mixer with 0.42 dBm OP_(1dB) for 5G applications [J] . International journal of numerical modelling . 2020,第3期

机译：适用于5G应用的具有0.42 dBm OP_（1dB）的27.5-43.5 GHz 65 nm CMOS上变频混频器
4. A 3-5-GHz Low-Voltage High-Isolation Transformer-Based CMOS Mixer for UWB Applications [C] . J. T. Lai, Y. S. Lin, C. L. Lu, International Conference on Innovative Computing, Information and Control . 2008

机译：用于UWB应用的基于3-5GHz低压高隔离变压器的CMOS混合器
5. Design of 2.4 GHz and 5GHz RFIC front-end components in CMOS and silicon-germanium HBT technologies. [D] . Kodkani, Rahul Madhav. 2002

机译：CMOS和硅锗HBT技术中2.4 GHz和5 GHz RFIC前端组件的设计。
6. A 28-GHz Switched-Beam Antenna with Integrated Butler Matrix and Switch for 5G Applications [O] . Sujae Lee, Yongho Lee, Hyunchol Shin 2021

机译：具有集成管道矩阵的28-GHz开关梁天线并为5G应用开关
7. Design of a 20–80 GHz Down-Conversion Mixer for 5G Wireless Communication with 22nm CMOS [O] . Henri Hurskainen, Rehman Akbar, Kari Stadius, 2020

机译：使用22nm CMOS的5G无线通信设计20-80 GHz下转换混频器

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