Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики

摘要

В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембранеudSi3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящаяudпленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученныеudотверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений изudостаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомнойudмикролинзы составил 20 нм.