机译:具有中间载流子阻挡层的单片全色GaN基LED的生长
机译:具有中间载流子阻挡层的全色Ⅲ族氮化物LED的仿真
机译:通过TCAD模拟对p-AlGaN电子阻挡层进行选择性区域生长和能带工程,将GaN LED与垂直驱动MOSFET单片集成
机译:多层量子势垒电子阻挡层大大改善了GaN基VCSEL中的载流子注入
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:自组装InGaN量子点的宽带全色单片InGaN发光二极管
机译:具有si扩散限定电流阻挡层的GaN基谐振腔LED
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告