Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В.
展开▼
机译：考虑了基于体硅设计高压CMOS IC的可能性。介绍了按键和开关的电气参数，以及限制来自TTL IC的控制信号的CMOS IC设计的因素。对密钥管理设备（CAM）的输入反相器和模拟密钥的CMOS晶体管的元件的一些电气和结构参数进行了分析。结果表明，当使用n-p结（n型腔）将p沟道CMOS晶体管与普通体硅衬底隔离时，CID和按键切换的最大电源电压为±20 V，并且将n沟道CMOS晶体管隔离使用pn结（p型）-±50 V.
展开▼
