机译:JFET集成器件加工过程中4H-SiC中Al和N离子注入的沟道效应
机译:SiC MOSFET具有由浅源-JFET植入定义的自对准通道:模拟研究
机译:SiC垂直通道N-和P-JFET通过离子植入完全制造
机译:4H SiC JFET集成电路技术在727°C下的实验耐久性测试
机译:4H碳化硅中的单片集成功率JFET和结势垒肖特基二极管。
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:铝或硼注入制备的4H-siC p-n二极管中的雪崩现象