机译:几何形状对AlGaN / GaN和InAlN / GaN霍尔效应传感器的灵敏度和偏移的影响
机译:几何对AlGaN / GaN和Inaln / GaN Hall效应传感器敏感性和偏移的影响
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:用于铲斗变压器监测和预测的Inaln / GaN Hall效应传感器的部署
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用