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Limits on Passivating Defects in Semiconductors: The Case of Si Edge Dislocations

机译：关于半导体钝化缺陷的限制：Si边缘位错的情况

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Tzu-Liang Chan; D. West; S. B. Zhang;
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年度 2011
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1. Limits on Passivating Defects in Semiconductors: The Case of Si Edge Dislocations [J] . Tzu-Liang Chan, D. West, S. B. Zhang Physical review letters . 2011,第3期

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2. The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in GaN epitaxial growth [J] . Hu Wei, Die Junhui, Wang Caiwei, Applied physics express . 2019,第3期

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3. Collision cascade effects near an edge dislocation dipole in alpha-Fe: Induced dislocation mobility and enhanced defect clustering [J] . Heredia-Avalos S., Denton C. D., Moreno-Marin J. C., Journal of Nuclear Materials: Materials Aspects of Fission and Fusion . 2021,第1期

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4. The nanometer scaled defects induces with the dislocation motion in II-VI insulated semiconductors [C] . V. N. Babentsov, V. A. Boyko, A. F. Kolomys, International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices . 2011

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5. Evolution of threading dislocations in passivated thin film. [D] . Ramarapu, Sowmya. 2009

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