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机译:重新掺杂硅''的载波浓度和激活能量评论J。苹果。 Phys.61,591(1987)
G. F. Neumark;
机译:评论“‘重掺杂n型硅中实验和理论载流子浓度的比较’”
机译:答复“关于“重掺杂n型硅中实验和理论载流子浓度的比较”的评论“”
机译:勘误表:“硼掺杂和氢钝化对硅纳米晶/ SiC多层膜中光激发电荷载流子复合的影响” [J.应用物理114,073101(2013)]
机译:慢少数载体在Czochralski硅具有高浓度热施主的温度依赖性
机译:重掺杂硅中主要和少数族裔载运子的表征。
机译:附录:'''载波浓度和激活能量在重掺杂的硅'J.苹果。物理。 61,591(1987)
机译:N =使用中子辐射对碳化硅进行掺杂,方法是在辐照之前增加硅30的同位素浓度,并使用重水作为中子减速剂
机译:测定厚度,电导率,有效质量,电荷载体的散射系数,活性半导体层掺杂剂的浓度和能量的方法
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