机译:通过整合NiFe2O4 / G-C3N4复合材料嵌入0d电子介体的型 - Z方案异质结的转换:促进了光芬源降解的自由基
机译:通过在整合NiFe2O4 / G-C3N4复合材料纳米粒子之间插入0d电子介体的晶体转化为Z形方案异质结的转化为Z形方案异质结:促进了光芬顿降解的自由基
机译:Z样方Cds / G-C3N4复合材料,RGO作为电子介质,用于高效的光催化H-2产生和污染物降解
机译:0D / 2D CO3O4 / TiO2 Z方案异质结,用于增强光催化降解和机制调查
机译:通过嵌入整合NiFe2O4 / G-C3N4复合纳米粒子的0d电子介体的嵌入型-i型至Z形方案异质结:促进自由基生产用于光芬顿降解
机译:ZnO-嵌入式S掺杂G-C3N4异质结:无介质的Z方案机制,用于增强电荷分离和光催化降解